Novi izvorni XC7K160T-1FBG676I Inventar Spot IC čip integrirani krugovi

Novi originalni XC7K160T-1FBG676I inventar Spot IC čip integriranih krugova Istaknuta slika

Kratki opis:

Pošaljite nam e-poštu Preuzmite datumsku tablicu

Pojedinosti o proizvodu

Oznake proizvoda

Atributi proizvoda

TIP	OPIS
Kategorija	Integrirani krugovi (IC) Ugrađen FPGA (Field Programmable Gate Array)
Proizv	AMD Xilinx
Niz	Kintex®-7
Paket	Ladica
Status proizvoda	Aktivan
Broj LAB-ova/CLB-ova	12675
Broj logičkih elemenata/ćelija	162240
Ukupni RAM bitovi	11980800
Broj I/O	400
Napon – opskrba	0,97 V ~ 1,03 V
Vrsta montaže	Površinska montaža
Radna temperatura	-40°C ~ 100°C (TJ)
Paket / Kutija	676-BBGA, FCBGA
Paket uređaja dobavljača	676-FCBGA (27×27)
Osnovni broj proizvoda	XC7K160

Prijavite pogrešku u informacijama o proizvodu

Pogledaj slično

Dokumenti i mediji

VRSTA RESURSA	VEZA
Liste podataka	Podatkovna tablica Kintex-7 FPGA Pregled serije 7 FPGA Kratak opis Kintex-7 FPGA
Moduli obuke proizvoda	Napajanje serije 7 Xilinx FPGA s TI rješenjima za upravljanje napajanjem
Informacije o okolišu	Xiliinx RoHS Cert Xilinx REACH211 Cert
Opremljenog proizvoda	Serija TE0741 s Xilinx Kintex®-7
PCN Dizajn/Specifikacija	Obavijest o bezolovnom prijevozu 31. listopada 2016 Mult Dev Materijal Promjena 16. prosinca 2019
HTML podatkovna tablica	Kratak opis Kintex-7 FPGA

Ekološke i izvozne klasifikacije

ATRIBUT	OPIS
RoHS status	Sukladno ROHS3
Razina osjetljivosti na vlagu (MSL)	4 (72 sata)
Status REACH	REACH Bez utjecaja
ECCN	3A991D
HTSUS	8542.39.0001

Integrirani krug

Integrirani krug ili monolitni integrirani krug (koji se također naziva IC, čip ili mikročip) je skupelektronički sklopovina jednom malom ravnom komadu (ili "čipu") odpoluvodičmaterijala, običnosilicij.Veliki brojeviod sitnihMOSFET-ovi(metal–oksid–poluvodičtranzistori s efektom polja) integrirati u mali čip.To rezultira sklopovima koji su reda veličine manji, brži i jeftiniji od onih konstruiranih od diskretnihelektroničke komponente.IC-ovimasovna proizvodnjasposobnost, pouzdanost i temeljni pristupdizajn integriranog krugaje osigurao brzo usvajanje standardiziranih IC-ova umjesto dizajna koji koriste diskretnetranzistori.IC-ovi se sada koriste u gotovo svim elektroničkim uređajima i revolucionirali su svijetelektronika.Računala,Mobitelii drugekućanskih aparatasada su neodvojivi dijelovi strukture modernih društava, omogućeni malom veličinom i niskom cijenom integriranih sklopova kao što su moderniračunalni procesoriimikrokontroleri.

Integracija vrlo velikih razmjerapostalo je praktično zahvaljujući tehnološkom napretkumetal–oksid–silicij(MOS)proizvodnja poluvodičkih uređaja.Od svog nastanka u 1960-ima, veličina, brzina i kapacitet čipova enormno su napredovali, potaknuti tehničkim napretkom koji postavlja sve više i više MOS tranzistora na čipove iste veličine – moderni čip može imati mnogo milijardi MOS tranzistora u jednom područje veličine ljudskog nokta.Ovaj napredak, otprilike sljedećiMooreov zakon, čine da današnji računalni čipovi imaju milijune puta veći kapacitet i tisuće puta veću brzinu od računalnih čipova iz ranih 1970-ih.

IC-ovi imaju dvije glavne prednosti u odnosu nadiskretni sklopovi: trošak i učinak.Cijena je niska jer se čipovi, sa svim svojim komponentama, tiskaju kao jedinicafotolitografijanego da se konstruira jedan po jedan tranzistor.Nadalje, pakirani IC-ovi koriste puno manje materijala od diskretnih sklopova.Performanse su visoke jer se komponente IC-a brzo mijenjaju i troše relativno malo energije zbog svoje male veličine i blizine.Glavni nedostatak IC-ova je visok trošak njihovog projektiranja i izrade potrebnogfotomaske.Ova visoka početna cijena znači da su IC-ovi komercijalno održivi samo kadavelike količine proizvodnjesu predviđeni.

Terminologija[Uredi]

Anintegrirani krugdefinira se kao:^[1]

Strujni krug u kojem su svi ili neki elementi strujnog kruga neodvojivo povezani i međusobno električno povezani tako da se smatra nedjeljivim za potrebe građevinarstva i trgovine.

Krugovi koji zadovoljavaju ovu definiciju mogu se konstruirati pomoću mnogo različitih tehnologija, uključujućitankoslojni tranzistori,debeloslojne tehnologije, ilihibridni integrirani krugovi.Međutim, u općoj uporabiintegrirani krugpočeo se odnositi na jednodijelnu konstrukciju kruga izvorno poznatu kao amonolitni integrirani krug, često izgrađen na jednom komadu silicija.^[2]^[3]

Povijest

Rani pokušaj kombiniranja nekoliko komponenti u jednom uređaju (poput modernih IC-ova) bio jeLoewe 3NFvakuumska cijev iz 1920-ih.Za razliku od IC-a, dizajniran je sa svrhomizbjegavanje poreza, kao iu Njemačkoj, radio prijamnici su imali porez koji se naplaćivao ovisno o tome koliko držača cijevi ima radio prijemnik.Omogućio je da radio prijemnici imaju jedan držač cijevi.

Rani koncepti integriranog kruga sežu u 1949., kada je njemački inženjerWerner Jacobi ^[4](Siemens AG)^[5]podnio patent za poluvodički uređaj za pojačavanje nalik integriranom krugu^[6]prikazuje pettranzistorina zajedničkoj podlozi u trostupanjskompojačalouređenje.Jacobi je otkrio malo i jeftinoslušni aparatikao tipične industrijske primjene njegovog patenta.Nije zabilježena neposredna komercijalna uporaba njegovog patenta.

Drugi rani zagovornik koncepta bio jeGeoffrey Dummer(1909.–2002.), radarski znanstvenik koji radi zaRoyal Radar EstablishmentbritanskogMinistarstvo obrane.Dummer je tu ideju predstavio javnosti na simpoziju o napretku kvalitetnih elektroničkih komponenti uWashington DCdana 7. svibnja 1952. godine.^[7]Javno je održao mnoge simpozije kako bi propagirao svoje ideje i neuspješno je pokušao izgraditi takav sklop 1956. godine. Između 1953. i 1957.Sidney Darlingtoni Yasuo Tarui (Elektrotehnički laboratorij) predložio je slične dizajne čipova gdje bi nekoliko tranzistora moglo dijeliti zajedničko aktivno područje, ali nije biloelektrična izolacijada ih odvoji jedne od drugih.^[4]

Monolitni integrirani čip omogućili su izumiplanarni procespoJean Hoerniiizolacija p–n spojapoKurt Lehovec.Hoernijev izum je izgrađen naMohamed M. Atallanjegov rad na površinskoj pasivizaciji, kao i Fullerov i Ditzenbergerov rad na difuziji nečistoća bora i fosfora u silicij,Carl Froschi rad Lincolna Dericka o površinskoj zaštiti, iChih-Tang Sahrad na maskiranju difuzije pomoću oksida.^[8]